8月3日，三星电子在美国圣克拉拉会议中心举行的2022年闪存峰会上宣布，UFS4.0闪存将在本月量产。
根据此前官方公布的消息，三星UFS4.0闪存提供每通道23.2Gbps（2.9GB/s）的速度，是三星上代产品UFS 3.1的两倍。三星表示这款闪存不仅适用于5G智能手机，未来还有望适配智能汽车、AR、VR等产品。
三星此前还透露，凭借第7代V-NAND技术和专有的控制器，UFS4.0将提供4200MB/s的顺序读取速度和2800MB/s的顺序写入速度。作为对比，三星512GB UFS 3.1闪存芯片标称连续读速最高2100MB/s，写速1200MB/s。可见UFS4.0不管是读速还是写速，都较上代迎来巨大提升。
同时，UFS4.0的电源效率也更高，将提供每毫安6.0MB/s的顺序读取速度，比上一代提高了46%。
预计下一代骁龙旗舰手机将支持这款闪存，大家可以期待一下。
本文由游民星空制作发布，未经允许禁止转载。
