5月4日，三星正式发布UFS4.0存储解决方案，读取速度最高4200MB/s，计划第三季度正式量产。
据三星官方介绍，UFS4.0采用最新的JEDEC标准规范并增强了产品的多样化，提供每通道23.2Gbps（2.9GB/s）的速度，是三星上代产品UFS 3.1的两倍。三星表示这款闪存不仅适用于5G智能手机，未来还有望适配智能汽车、AR、VR等产品。
三星称，凭借第7代V-NAND技术和专有的控制器，UFS4.0将提供4200MB/s的顺序读取速度和2800MB/s的顺序写入速度。同时，UFS4.0的电源效率也更高，将提供每毫安6.0MB/s的顺序读取速度，比上一代提高了46%。
最后，三星还表示UFS4.0将采用最大尺寸为11毫米x13毫米x1毫米的紧凑型封装，并将提供高达1TB的各种容量选择，计划今年第三季度正式量产。
另外，知名数码博主@i冰宇宙透露，高通旗下的骁龙8 gen2芯片将支持UFS4.0。也就是说，迭代骁龙旗舰将有望采用这款高性能闪存。
本文由游民星空制作发布，未经允许禁止转载。
