然而，存储 0 的浮栅，相比存储 1 的浮栅，有更多的电子，会抵消控制极上的电压，所以控制极需要更大的电压才能导通两个 N 极。
因此，当我们不知道浮栅中有多少电子时，就可以往控制极加一个中间值电压，如果两个 N 极导通，就能反推出浮栅中的电子较少，识别为 1；如果没有导通，就说明浮栅中的电子较多，识别为 0 。
传统的单阶存储单元 SLC ，电子数量只有两种状态，只能保存一比特的数据。而多阶存储单元 MLC、TLC 和 QLC ，它们的电子数量有 4~16 种状态，一个单元可保存 2~4 比特。
多阶存储单元大大降低了固态硬盘单位容量的成本，但也影响了硬盘寿命和性能。
晶体管擦写数据时，二氧化硅绝缘层会困住一部分电子，这些电子的累积会逐渐抵消控制极上的电压，使得控制极为了导通两个 N 极所需的电压越来越大，当这个偏移超过中间值，那么读取时也就无法分辨 0 和 1 。
