伺候了Haswell-E和Broadwell-E两代处理器之后，在Intel发烧级平台扛了三年的X99主板终于退役，继任者X299芯片组的到来伴随着整个CPU产品线的重塑，无论你原本是否属于HEDT平台的用户，都有必要通过此文来了解它们新的规格与特性。
Intel在22nm工艺下率先采用了3D-Tri Gate晶体管架构，它使用一个超薄的三维硅片取代了传统二维晶体管上的平面栅极，晶体管可以更加紧密地排列在一起，大幅提高了密度。具体晦涩的技术原理这里不赘述，总之这样可以使同样电压下获得37%的性能提升。反过来，相同性能下功耗可以下降50%。
Intel在14nm制程的Tri-Gage架构上撞了南墙
然而有得即有失，多了一个维度的晶体管通过激光蚀刻成型难度也成几何级增加。当Intel将3D-Tri Gate架构应用到14nm工艺时，晶体管栅极间距缩小到70nm，这个缩减与32nm到22nm的缩减幅度不相上下，导致晶体管漏电率大幅上升，晶圆良率下降。具体表现在CPU上的特征就是高频率稳定性差，发热畸高，用过第六代与第七代i7的玩家一定深有体会。
X299芯片组PCH的规格与X99相比几乎没什么变化，后者可视作体质改良版
制程的进步必须建立在上一代工艺成熟的技术上，原路线图中的10nm工艺被迫延期，Intel临时增加了一代继续采用14nm工艺的Kabylake内核，通过三代CPU产品来完善14nm。
庆幸的是，在经历好一番折腾之后，X299平台终于为我们送来了14nm的完全体：Skylake-X。
