Intel公布10nm芯片性能参数:比14nm提升43%

在Intel TechDay上公布的PPT显示,第一代10nm将比14nm在性能上提升25%,功耗降低45%,改良版的10nm++性能会再次提升15%,功耗再降30%。

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Intel公布10nm芯片性能参数:比14nm提升43%

IT之家 万南 2017-04-04 09:28
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  日前,Intel再次强调10nm芯片定于今年底上市,其核心指标包括“1平方毫米中塞下1亿个晶体管、鳍片间距做到34nm,最小金属间距则做到36nm”。

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  关于10nm的家族代号目前存在争议,因为Intel今年2月又宣布了8代酷睿,所以Cannon Lake有些人说是10nm代号,有些说是新酷睿代号,不过笔者比较倾向AnandTech的看法,也就是前者。按照Intel公布的指标,8代酷睿依然是14nm,号称历史最强,性能较Kaby Lake提升15%,那么10nm呢?

  在Intel TechDay上公布的PPT显示,第一代10nm将比14nm在性能上提升25%,功耗降低45%,改良版的10nm++性能会再次提升15%,功耗再降30%,换算下来,目前Intel规划中的10nm最好的状态是比14nm性能提升43%左右。

近日公布的PPT:

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责任编辑:明镜Mirror

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