功耗仅为闪存的一半。采用的生产工艺达到22nm，比当前最先进的45nm更领先，因此存储单元的尺寸更加细微。相变内存可以在不删除现有数据的情况下写入数据，这比如今的内存更为快捷。它的另外一个优点是，相变内存可以重复写入10万次以上，比闪存更加耐用；此外，相变内存还是比闪存更加有效和高效的非挥发性内存。读写速度可以达到闪存的1000倍。
在相变内存上，英特尔的 3D Xpoint 就包含 PRAM 技术。等到完整的PCM技术成熟结合 DRAM 和 NAND Flash 优点，速度和耐用性将提高 1 千倍。
作为全球存储先驱的影驰科技一直在跟进这类技术的研发进度。期待能早日将全新技术运用到影驰SSD上，加速未来生活。日前，影驰全新的铁甲战将120已经搭载群联S11新系列主控开始服役。性能效率提升两倍，功耗降低30%。引领同容量级别SSD行业新标准。期待你能体验到不一样的将系列。
