三星今天在首尔召开“2014三星固态硬盘全球峰会”，在会上发布了新的850 Pro系列SSD，该系列SSD的最大特色就是使用了3D V-NAND闪存，三星对于闪存的使用还是相当大胆的，去年推出了首款使用TLC闪存的840系列，而现在的850 Pro则是首款采用3D V-NAND技术的SSD。
三星850 Pro并没有采用最新的M.2或者SATA-E接口，继续使用SATA 6Gbps接口，共有128、256、512和1TB四个容量，最大连续读写速度为550/520 MB/s，4K随机读写IOPS分别为100,000/90,000，采用三星第二代86Gbit 40nm MLC V-NAND，将与7月中旬正式上市，不同容量的具体性能请看下表：
表格来自Anandtech
现在已经有多个外国媒体对850 Pro进行了评测，我们现在翻译的这个是来自Hardware.info的，另外关于3D V-NAND我们之前有专门的文章对其进行了介绍，简单来说就是不通过传统的缩小cell单元来最求大容量，而是通过3D堆叠技术封装更多cell单元来提升容量，有兴趣了解详情的朋友可以去看看这个《NAND新时代起点，三星V-NAND技术详解》。
三星850 Pro正面
三星850 Pro反面
