今天三星宣布开始量产全球最先进的4Gb DDR3内存颗粒，这种颗粒采用了最新的20nm工艺（不是20nm class）、改进的封装工艺和现有的ArF浸入式光刻技术生产，性能比25nm DDR3高30%，比30nm级别DDR3高1倍以上，同时功耗比25nm减少25%。
在原本的DRAM中，每一个单元之间都要通过一个电容器和晶体管连接，相比起只需要一个晶体管连接的NAND闪存颗粒，前者要扩展容量更加困难。
为了解决这一难题，三星修改了DRAM的设计和生产技术，并提出了双重曝影和原子层沉积技术。其中最重要的双重曝影可以使用现有光刻技术生产20nm DDR3，同时又为下一代10nm级别DRAM生产建立了技术基础。后者则是一种新的超薄介质层技术，可以带来更强的性能。
Gartner的市场研究数据预测，今年全年全球DRAM市场份额将会增长至379亿美元，而2013年的市场份额是356亿美元。
