据wccftech报道，三星HBM4内存良率已提升至接近80%，达到行业所谓“黄金良率”水平，并增强了其挑战SK海力士在AI内存市场领先地位的信心。
三星电子HBM4在今年2月开始量产时，良率一度低于60%，但经过产线优化后，半年内提升至约80%，提前达到原定年度目标。
三星HBM4采用12层堆叠设计，单堆栈最高可提供36GB容量，支持11.7至13.0Gbps速率，单堆栈带宽最高可达3.3TB/s。此外，该方案还采用0nm级DRAM工艺（1c）以及4nm逻辑工艺，并相比HBM3E提升了功耗效率、散热能力和耐热表现。
随着良率提升，三星已提高HBM4相关营收预期，并计划扩大该内存产品在旗下HBM业务中的占比。同时，三星也在推进下一代HBM4E研发，其可靠性测试良率据称已达到70%，目标是在未来AI加速器市场中进一步扩大竞争力。
目前，AMD已经在Instinct MI400平台中采用三星HBM4方案，而三星也希望凭借HBM4E争取更多高端AI芯片客户。随着AI计算需求持续增长，HBM内存市场的竞争正逐渐从SK海力士一家领先，转向三星、SK海力士等厂商之间的正面竞争。
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