近日，联想（Lenovo）在2026年国际高性能计算大会（ISC 2026）上对当前存储市场的发展趋势进行了分析，并表示随着人工智能产业持续高速发展，DRAM与NAND闪存价格可能长期维持高位，未来甚至难以恢复至2025年初的价格水平。
联想在大会展示的演示文稿中指出，自2025年第三季度末开始，DRAM和NAND市场价格便进入快速上涨通道，如今已达到此前难以想象的高位。尽管各大存储芯片厂商正积极扩充产能、建设新晶圆厂，以缓解供需失衡的问题，但新增产能或难以彻底改变市场供不应求的局面，高价格有望成为未来数年的行业常态。
演讲中，联想将这一现象戏称为“RAM灾难”（RAM灾难），随后表示，随着AI算力需求不断攀升，更高的内存价格很可能将在2030年甚至更久之后成为市场的新常态。
事实上，多家存储厂商此前也曾发出类似预警。美光近期表示，即便是战略级客户，公司目前也无法完全满足其HBM等高端存储产品需求；三星电子和SK海力士同样认为，AI带来的需求增长速度远超行业预期，存储市场仍将持续处于供应紧张状态。
联想认为，即便各家厂商持续扩大投资，新建晶圆厂陆续投产，也只能逐步缓解供需缺口，而难以令价格重新回落至2025年初的低位水平。
对于普通消费者而言，这意味着未来不仅内存条和固态硬盘的售价可能长期保持高位，个人电脑、游戏主机、智能手机以及各类依赖存储芯片的电子产品，也将面临更高的制造成本和终端售价，过去廉价升级内存、低价购买SSD的时代或将逐渐成为历史。
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