6月29日，据外媒报道称，三星将在6月30日正式开始量产基于GAA（全环绕栅极技术）的3nm制程芯片。
若该报道消息属实的话，这就意味着三星抢先于台积电和英特尔首发了3nm制程的芯片，台积电和英特尔分别计划在2022年下半年和2023年下半年量产3nm芯片。
据悉，三星在3nm芯片工艺竞争上与台积电的路线并不相同，三星选择的是GAA晶体管技术，而台积电则选择了FinFET架构，也就是鳍式场效应晶体管技术。
三星表示GAA晶体管结构要优于FinFET，与FinFET相比，GAA技术加持的3nm工艺可以提升芯片约30％的性能和超过45％的逻辑面积率。同时，芯片的能耗也能够降低50％。
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